На правах рекламы:
ISSN 0236-235X (P)
ISSN 2311-2735 (E)

Авторитетность издания

ВАК - К1
RSCI, ядро РИНЦ

Добавить в закладки

Следующий номер на сайте

2
Ожидается:
16 Июня 2024

В Центре визуализации и спутниковых информационных технологий ФНЦ НИИСИ РАН рассматривались концептуальные вопросы разработки программного комплекса для теплового проектирования сложных электронных систем.

10.10.2018

Возможности современных информационных технологий позволяют создавать многофункциональные программные комплексы (МФПК) нового поколения, обладающие гибкостью, расширяемостью, возможностью переноса на различные платформы. Такие программные комплексы должны отвечать определенным требованиям, разрабатываться в соответствующей архитектуре и технологиях. Большое внимание при создании МФПК должно уделяться их предварительному моделированию на этапе проектирования.

МФПК позволяют с высокой эффективностью на этапе проектирования электронных систем (ЭлС) прогнозировать их поведение, эксплуатационные характеристики и параметры. Решение данной проблемы особенно актуально при создании высоконадежных ЭлС, предназначенных для эксплуатации в экстремальных условиях окружающей среды, при тепловых, механических, химических, радиационных и космических воздействиях. Разработка МФПК теплового проектирования (ТП) ЭлС является критически важной для создания новой конкурентоспособной техники.

Существует большое количество зарубежных программных комплексов для тепловых расчетов технических систем, однако присущие им принципиальные недостатки не позволяют рекомендовать их к безусловному применению в практике теплового проектирования ЭлС, что наряду с решением важнейшей проблемы импортозамещения и импортобезопасности ПО делает еще более актуальными разработку и создание отечественных МФПК для теплового проектирования ЭлС (МФПК ТП ЭлС).

Подробное описание дается в статье «Принципы построения программного комплекса для теплового проектирования электронных систем», авторы: Мадера А.Г., Кандалов П.И. (Центр визуализации и спутниковых информационных технологий ФНЦ НИИСИ РАН, Москва).