На правах рекламы:
ISSN 0236-235X (P)
ISSN 2311-2735 (E)

Авторитетность издания

ВАК - К1
RSCI, ядро РИНЦ

Добавить в закладки

Следующий номер на сайте

2
Ожидается:
16 Июня 2024

Масальский Н.В.

кандидат физико-математических наук (volkov@niisi.ras.ru)
зав. сектором
НИИСИ РАН
Автор статей:
  1. Проблемы схемотехнического моделирования нанотранзисторов со структурой «кремний на изоляторе»
  2. Соавторы статьи: Масальский Н.В.
  3. Моделирование распределения потенциала в рабочей области полевого транзистора со структурой «германий на изоляторе»: аналитическая модель и ее приложения
  4. Соавторы статьи: Масальский Н.В.
  5. Моделирование распределения потенциала в двухзатворном полевом нанотранзисторе со структурой кремний на изоляторе с асимметричным затвором
  6. Соавторы статьи: Масальский Н.В.
  7. Температурная модель распределения потенциала в неравномерно легированных нанотранзисторах со структурой кремний на изоляторе
  8. Соавторы статьи: Масальский Н.В.